收藏本站
SUP60N10-18P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
8 0
60
40
V GS = 10 V thru 8 V
V GS = 7 V
1.5
1.2
0.9
0.6
T C = 25 °C
20
V GS = 6 V
0.3
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
75
60
45
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.04
0.03
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.02
V GS = 8 V
30
V GS = 10 V
0.01
15
0
0.00
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
8 0
100
120
3500
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 15 A
2 8 00
C iss
15
V DS = 50 V
2100
V DS = 80 V
10
1400
5
700
0
C rss
C oss
0
0
20
40
60
8 0
100
0
20
40
60
8 0
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 65003
S09-1096-Rev. A, 15-Jun-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUP65P04-15-E3 MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
SUP75N03-04-E3 MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB
SUP75P03-07-E3 MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB
SUP90N08-7M7P-E3 MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB
SUP90P06-09L-E3 MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
SUV85N10-10-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
SV-LED-125E HEATSINK DEGREASED 25.4MM
SV21C201BJA01B00 ROTARY POS SENSOR 200 DEGREE
相关代理商/技术参数
SUP60N6-18 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
SUP65P04-15 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP65P04-15-E3 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP65P06 制造商:TEMIC 制造商全称:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors
SUP65P06-20 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP65P06-20 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220
SUP65P06-20-E3 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP65P06-20-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET